Nichtflüchtiger Schreib-Lese-Speicher, EEPROM-Variante. Während ein
EEPROM auf Byte-Level gelöscht und wieder beschrieben wird, geschieht dies beim Flash-Memory auf Blockbasis, d.h. ganze Segmente des Speicherbereichs können in einer einzigen Aktion [Flash] gelöscht und auch reprogrammiert werden. Sie sind dadurch wesentlich schneller als EEPROMs.
Link:
Sharp Flash Memory
